Mi az a GaN Töltés, és miért van szüksége rá?
A gallium-nitrid (GaN) kristályos anyag valamint a töltőkhöz használt hagyományos szilícium nagy teljesítményű alternatívája. Mivel a GaN tranzisztorok kevesebb hőt termelnek, az egyes komponensek szűkebb, kisebb helyre helyezhetők. Ez azt jelenti, hogy egy sokkal kisebb töltő ugyanazt a teljesítményt éri el, mint egy nagyobb.
A GaN Gyors, kompakt és rendkívül hatékony töltés előnyei:
- Sokkal magasabb feszültségek és elektromos áramok haladhatnak át a GaN-ból készült alkatrészeken, mint a szilícium használatával: akár 20V és 3.25A
- A nagyobb feszültség és áram egyenlő a nagyobb teljesítménnyel, ami jelentősen felgyorsítja a töltési folyamatot: akár 65W teljesítmény
- A GaN hatékony áramátadásának köszönhetően a hőfejlődés minimálisra csökken. Kevesebb hely szükséges a hőelosztáshoz
- Erősebb/kompaktabb: kisebb ház elegendő a nagyobb teljesítményű feldolgozáshoz. A kevesebb hőfejlődés növeli az élettartamot
Az akár 65 W-os gyorstöltővel még a nagy kapacitású eszközöket, például laptopokat is képes energiával ellátni azáltal, hogy az innovatív technológiákra összpontosít!
Termékjellemzők:
- Teljes teljesítmény: max. 65W
- A legújabb GaN technológia nagy teljesítményt és praktikus méretet tesz lehetővé
- Technológiai trend: Tápellátás és gyorstöltés a gyors és intelligens töltéshez
- 2x USB C PD port: 5V/3A; 9V/3A; 12V/3A; 15V/3A; 20V/3,25A (max. 65 W)
- 1x USB A QC port: 5V/3A; 9V/3A; 12V/2.5A; 20V/1.5A (max. 30W)
- Akár 3 eszköz egyidejű töltése
- Képes laptopok töltésére a nagy teljesítmény miatt
- Szuper könnyű, nagyon praktikus és kompakt méret
- VARTA minőség=biztonság
